PJD50N10AL-AU_L2_000A1, MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2723 шт., срок 7-9 недель

300 руб.

от 10 шт. — 230 руб.

от 100 шт. — 167 руб.

от 500 шт. — 132.38 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.

Номенклатурный номер: 8020603980

Артикул: PJD50N10AL-AU_L2_000A1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Brand:	Panjit
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	14 ns
Id - Continuous Drain Current:	42 A
Manufacturer:	Panjit
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252AA-3
Pd - Power Dissipation:	83 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	29 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	28.5 mOhms
Rise Time:	30 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	35 ns
Typical Turn-On Delay Time:	7.8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Вес, кг	37.6

pdf, 375 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем