SI4425BDY-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 30В 8.8A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 14 шт. —
170 руб.
от 28 шт. —
151 руб.
от 55 шт. —
145 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 30В 8.8A
Технические параметры
| Корпус | so-8 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 11.4 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W | |
| Qg - заряд затвора | 100 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 13 ns | |
| Время спада | 53 ns | |
| Высота | 1.75 mm | |
| Длина | 4.9 mm | |
| Другие названия товара № | SI4425BDY-T1 | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 29 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | P-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | |
| Серия | SI4 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 P-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns | |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
| Упаковка / блок | SO-8 | |
| Ширина | 3.9 mm | |
| Вес, г | 0.24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 159 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
