P-Channel MOSFET, 330 mA, 20 V, 3-Pin SSM SSM3J36FS(TE85L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3540 шт., срок 7 недель
26 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 330 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SSM |
| Pin Count | 3 |
| Series | SSM3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.2 nC @ 4 V |
| Width | 0.8mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet SSM3J36FS,LF
pdf, 201 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
