FMMT495TA, Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А

Фото 1/5 FMMT495TA, Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
20 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
от 120 шт.16 руб.
от 239 шт.14 руб.
от 477 шт.13 руб.
Добавить в корзину 23 шт. на сумму 460 руб.
Номенклатурный номер: 8020653799
Артикул: FMMT495TA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А

Технические параметры

Корпус SOT23-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage 150V
Maximum DC Collector Current 1A
Pd - Power Dissipation 500mW
Transistor Type NPN
Maximum Collector Base Voltage 170 V
Maximum Collector Emitter Voltage 150 V
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 170 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 150 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 1 A
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: FMMT495
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Transistor Polarity NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Вес, г 0.197

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 480 КБ
Datasheet
pdf, 473 КБ
Datasheet
pdf, 117 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов