S8050-H, Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 500мА; 300мВт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 шт. со склада г.Москва
11 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 500мА; 300мВт; SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 135 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
