IRF2907ZPBF, N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V TO-220AB IRF2907ZPBF

Фото 1/4 IRF2907ZPBF, N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V TO-220AB IRF2907ZPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 110 руб.
Кратность заказа 2 шт.
от 50 шт.782 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 2 220 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8020743782
Артикул: IRF2907ZPBF

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon IRF series is the 75V single n channel power mosfet in a TO 220 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability.

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 170 A
Maximum Drain Source Voltage 75 V
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220AB
Base Product Number IRF2907 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
RoHS Compliant Yes
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IRF2907ZPBF
pdf, 429 КБ
Datasheet IRF2907ZPBF
pdf, 420 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов