IRF2907ZPBF, N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V TO-220AB IRF2907ZPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 110 руб.
Кратность заказа 2 шт.
от 50 шт. —
782 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 220 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon IRF series is the 75V single n channel power mosfet in a TO 220 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 170 A |
Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220AB |
Base Product Number | IRF2907 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 160A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 75A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HEXFETВ® -> |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
RoHS Compliant | Yes |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IRF2907ZPBF
pdf, 429 КБ
Datasheet IRF2907ZPBF
pdf, 420 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов