PJQ5948-AU_R2_002A1, MOSFET 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2900 шт., срок 7-9 недель
350 руб.
от 10 шт. —
270 руб.
от 100 шт. —
195 руб.
от 500 шт. —
154.61 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 37 A |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | DFN5060B-8L |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.3 mOhms |
| Rise Time: | 3 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Вес, г | 23 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 382 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
