IRFDC20PBF, Транзистор полевой N-канальный 600В 320мА
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
86 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 516 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 320мА
Технические параметры
Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
Id - непрерывный ток утечки | 320 mA | |
Pd - рассеивание мощности | 1 W | |
Qg - заряд затвора | 18 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.4 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 2500 | |
Серия | IRFDC | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | DIP-4 | |
Base Product Number | IRFDC20 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 320mA (Ta) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tube | |
Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) | |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4Ohm @ 190mA, 10V | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
RoHS | Подробности | |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V | |
Время нарастания | 23 ns | |
Время спада | 23 ns | |
Производитель | Vishay | |
Типичное время задержки выключения | 30 ns | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов