FDC6305N, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 2,7А, 0,96Вт, SuperSOT-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 2,7А, 0,96Вт, SuperSOT-6 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 2.7А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
Рассеиваемая Мощность | 960мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.08Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 2.7 A |
Maximum Drain Source Resistance | 128 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 960 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 6 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 3.5 nC @ 4.5 V |
Width | 1.7mm |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов