DMN2025UFDF-7, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

38 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 28 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 190 руб.

Номенклатурный номер: 8021306442

Артикул: DMN2025UFDF-7

Бренд: DIODES INC.

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

Id - непрерывный ток утечки	6.5 A
Pd - рассеивание мощности	1.6 W
Qg - заряд затвора	12.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	500 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5.4 ns
Время спада	9.3 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	17.6 ns
Типичное время задержки при включении	3.4 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	U-DFN2020-6
Вес, г	1

pdf, 424 КБ

Мы рекомендуем