TPD2EUSB30ADRTR, ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 3.6V 8Vc 3-Pin SOT-933 T/R

Фото 1/3 TPD2EUSB30ADRTR, ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 3.6V 8Vc 3-Pin SOT-933 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
39 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт.37 руб.
от 9000 шт.34 руб.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 117 000 руб.
Номенклатурный номер: 8021374736
Артикул: TPD2EUSB30ADRTR
Бренд: Texas Instruments

Описание

Passives > Circuit Protection > ESD Supressors
Описание Диод защитный SOT3 Характеристики
Категория Диод
Тип защитный

Технические параметры

Brand: Texas Instruments
Breakdown Voltage: 4.5 V
Cd - Diode Capacitance: 0.08 pF
Clamping Voltage: 8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Texas Instruments
Maximum Operating Temperature: +85 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Number of Channels: 2 Channel
Package / Case: SOT-3
Polarity: Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation: 45 W
Product Category: ESD Suppressors/TVS Diodes
Product Type: ESD Suppressors
Series: TPD2EUSB30/A
Subcategory: TVS Diodes/ESD Suppression Diodes
Termination Style: SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap: 8 kV
Vesd - Voltage ESD Contact: 8 kV
Working Voltage: 3.6 V
Automotive No
Capacitance Value (pF) 0.7(Typ)
Configuration Dual
Direction Type Uni-Directional
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Fail Safe Protection No
Lead Shape Flat
Maximum Clamping Voltage (V) 8
Maximum Leakage Current (uA) 0.1
Maximum Operating Temperature (°C) 85
Maximum Peak Pulse Current (A) 5
Maximum Working Voltage (V) 3.6
Minimum Breakdown Voltage (V) 4.5
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Peak Pulse Power Dissipation (W) 45
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-933
Test Current (mA) 1
Type Diode Array

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов