IXTQ52N30P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 300В, 52А, 400Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 240 руб.
от 10 шт. —
1 090 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 240 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IXTQ52N30P от производителя IXYS представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа типа THT. Этот транзистор обладает током стока 52 А и напряжением сток-исток, достигающим 300 В, что делает его идеальным выбором для задач, требующих большой мощности. С мощностью в 400 Вт и сопротивлением в открытом состоянии всего 0,073 Ом, он обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях энергии. В корпусе TO3P этот компонент легко интегрируется в различные области применения, где требуется надежное управление мощностью. Код товара IXTQ52N30P станет ключевым элементом в вашем проекте, обеспечивая стабильную работу и долговечность. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 52 |
Напряжение сток-исток, В | 300 |
Мощность, Вт | 400 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.073 |
Корпус | TO3P |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Fall Time: | 20 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 52 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-3P-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 400 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 110 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 66 mOhms |
Rise Time: | 22 ns |
Series: | IXTQ52N30 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 5.31 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 146 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов