GD150HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 150А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
8 990 руб.
от 2 шт. —
8 500 руб.
от 3 шт. —
8 220 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 990 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Модуль IGBT 1200В 150А
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 3.1В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 280А |
| DC Ток Коллектора | 280А |
| Power Dissipation | 1.147кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3.1В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.147кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | NPT Ultra Fast IGBT |
| Вес, г | 335 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
