SQD45P03-12_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
910 руб.
от 2 шт. —
840 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 910 руб.
Описание
Электроэлемент
Mosfet, P-Ch, 30V, 50A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD45P03-12_GE3
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3495pF @ 15V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 71W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 15A, 10V |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
Id - непрерывный ток утечки: | 50 A |
Pd - рассеивание мощности: | 71 W |
Qg - заряд затвора: | 83 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 8 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.5 V |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Время нарастания: | 11 ns |
Время спада: | 19 ns |
Канальный режим: | Enhancement |
Категория продукта: | МОП-транзистор |
Квалификация: | AEC-Q101 |
Количество каналов: | 1 Channel |
Коммерческое обозначение: | TrenchFET |
Конфигурация: | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 34 S |
Максимальная рабочая температура: | +175 C |
Минимальная рабочая температура: | -55 C |
Подкатегория: | MOSFETs |
Полярность транзистора: | P-Channel |
Производитель: | Vishay |
Размер фабричной упаковки: | 2000 |
Серия: | SQ |
Технология: | Si |
Тип продукта: | MOSFET |
Тип транзистора: | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения: | 29 ns |
Типичное время задержки при включении: | 11 ns |
Торговая марка: | Vishay/Siliconix |
Упаковка / блок: | TO-252-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 37 A |
Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 71 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 55.3 nC @ 10 V |
Width | 6.22mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов