GD600HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 600A 2 in one-package, CM60
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 4-5 дней
17 150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 150 руб.
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Технические параметры
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 1.09кА |
| DC Ток Коллектора | 1.09кА |
| Power Dissipation | 3.947кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 3.947кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 430.9 |
Техническая документация
Datasheet GD600HFY120C6S
pdf, 206 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 2]](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC005806826.jpg)
