BCP5116H6327XTSA1, Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
46 руб.
Кратность заказа 7000 шт.
Добавить в корзину 7000 шт.
на сумму 322 000 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive
Технические параметры
Automotive | Yes |
Configuration | Single Dual Collector |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Material | Si |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 45 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
Minimum DC Current Gain | 25@500mA@2V|100@150mA@2V|25@5mA@2V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | LTB |
PPAP | Unknown |
Product Category | Bipolar Power |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Type | PNP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 813 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары