FGD3325G2-F085V, IGBT Transistors ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
от 10 шт. —
470 руб.
от 100 шт. —
346 руб.
от 250 шт. —
310.74 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
FGD3325G2_F085 EcoSPARK 2 N-Channel Ignition IGBTonsemi / Fairchild FGD3325G2_F085 EcoSPARK® 2 N-Channel Ignition IGBT is designed with onsemi / Fairchild's EcoSPARK-2 technology. This technology helps to eliminate external protection circuitry. It is optimized for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems and offers outstanding V sat and SCIS Energy capability at elevated operating temperatures.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 250 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.15 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 41 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 41 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -10 V, 10 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 705 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
