STF24N60M6, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

27 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней

320 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 9 шт. — 270 руб.

от 18 шт. — 245 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 640 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8021751414

Артикул: STF24N60M6

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Корпус	TO-220F
кол-во в упаковке	1000
Continuous Drain Current (Id)	17A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	190mΩ@8.5A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss)	600V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	4.75V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	960pF@100V
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	30W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	23nC@10V
Type	N Channel
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity:	1000
Id - Continuous Drain Current:	22 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	30 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	23 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	190 mOhms
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.25 V
Вес, г	2.38