Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRLML5203TRPBF, Транзистор полевой SMD ...

IRLML5203TRPBF, Транзистор полевой SMD (P-канал -30В -3А Micro3/SOT23)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

61 руб.

Мин. кол-во для заказа 9 шт.

Добавить в корзину 9 шт. на сумму 549 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8021838630

Артикул: IRLML5203TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IRLML5203TRPBF от производителя INFINEON – это высококачественный компонент в категории полупроводников, предназначенный для использования в различных электронных схемах. Выполненный в компактном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD), он обладает током стока 3 А и напряжением сток-исток 30 В, что делает его универсальным решением для управления нагрузками средней мощности. Мощность устройства составляет 1,25 Вт, что гарантирует его надежную работу в широком диапазоне применений. Используя IRLML5203TRPBF в вашей схеме, вы получаете надежный компонент от известного производителя, что обеспечит долговечность и стабильность работы устройства. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	3
Напряжение сток-исток, В	30
Мощность, Вт	1.25
Корпус	SOT23

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	3 A
Тип корпуса	SOT-23
Максимальное рассеяние мощности	1,25 W
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	1.4мм
Высота	1.02мм
Размеры	3.04 x 1.4 x 1.02мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Длина	3.04мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	12 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	88 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	165 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	30 V
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	9,5 нКл
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	510 pF@ -25 V
Тип канала	P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Id - Continuous Drain Current	3 A
Manufacturer	Infineon
Mounting Style	SMD/SMT
Number Of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Part # Aliases	SP001558846
Pd - Power Dissipation	1.25 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	9.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	165 mOhms
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	P-Channel
Transistor Type	1 P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	3 A
Maximum Drain Source Resistance	165 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	9.5 nC @ 10 V
Width	1.4mm
Lead Finish	Matte Tin
Max Processing Temp	260I300
Mounting	Surface Mount
Operating Temperature	-55 to 150 °C
RDS-on	98@10V mOhm
Typical Fall Time	52 ns
Typical Rise Time	18 ns
Typical Turn-Off Delay Time	88 ns
Typical Turn-On Delay Time	12 ns
Вес, г	1