IRF830, PBF полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 550 В, 4 А, TO-220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
760 шт. со склада г.Москва, срок 3 дня
46 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 20 шт. —
40 руб.
от 40 шт. —
31 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 460 руб.
Номенклатурный номер: 8021967906
Артикул: IRF830, PBF полевой транзистор (MOSFET), N-канал,
Бренд: JSMicro Semiconductor
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 560 | |
Заряд затвора, нКл | 12 | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 550 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 2200 | |
Способ монтажа | Through Hole | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Упаковка | 50 | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/1000 | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Документация
pdf, 2198 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.