YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
330 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
1 730 руб.
от 6 шт. —
1 390 руб.
от 24 шт. —
1 260 руб.
от 42 шт. —
1 259.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 730 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8022070462
Артикул: YJD212080NCTG1
Описание
транзисторы полевые импортные
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| кол-во в упаковке | 30 | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2798 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC000254166.jpg)
![FCA47N60, Транзистор, N-канал 600В 47А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IPW60R099C6FKSA1 (6R099C6), Транзистор MOSFET N-канал 600В 37.9А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
