IXFH120N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 120А, 480Вт, TO247-3, 140нс

Фото 1/2 IXFH120N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 120А, 480Вт, TO247-3, 140нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 090 руб.
от 3 шт.2 640 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 090 руб.
Номенклатурный номер: 8022105618
Артикул: IXFH120N25X3
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 120А, 480Вт, TO247-3, 140нс Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 120 A
Pd - рассеивание мощности 480 W
Qg - заряд затвора 122 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 12 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 250 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 32 ns
Время спада 12 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HiPerFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 54 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 100 ns
Типичное время задержки при включении 29 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 6.25

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов