GD100HFX170C1S, IGBTмодуль, Low Loss, замена для SKM100GB17E4, аналог CM100DY-34A, SKM145GB176D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
29 шт. со склада г.Москва, срок 4-5 дней
5 510 руб.
от 5 шт. —
4 950 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 510 руб.
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
Модуль IGBT 1700В 168A
Технические параметры
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Continuous Collector Current | 168А |
| DC Ток Коллектора | 168А |
| Power Dissipation | 632Вт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 632Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
