NTBGS1D5N06C, N-Channel MOSFET, 267 A, 60 V, 7-Pin D2PAK NTBGS1D5N06C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
880 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Добавить в корзину 800 шт.
на сумму 704 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ON Semiconductor 60V of power MOSFET used 267A of drain current with single N−channel. It has lower switching noise/EMI and minimize conduction losses.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 267 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00155 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-263-7 |
| Pin Count | 7 |
| Series | NTBGS1D |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet NTBGS1D5N06C
pdf, 224 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
