DTA123YE3HZGTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2880 шт., срок 7-9 недель
18 руб.
Кратность заказа 240 шт.
от 720 шт. —
13 руб.
от 1200 шт. —
11 руб.
от 2160 шт. —
10.04 руб.
Добавить в корзину 240 шт.
на сумму 4 320 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
The ROHM PNP leak absorption digital transistor this is the standard product of digital transistors which ROHM invented and marketed first in the world.
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 33hFE |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | Single PNP |
| Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 2.2кОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | EMT3 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Type | PNP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1333 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![PDTA114ET,215, Транзистор, PNP Digital, 50В, 0.1A, R1=10кОм, R1=10кОм [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![PDTD123YT,215, Цифровой транзистор NPN 50В 500мА R1=2.2 кОм R2=10кОм [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/799/DOC038799595.jpg)
