NGTB40N65FL2WG

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

670 руб.

от 10 шт. — 560 руб.

от 30 шт. — 482 руб.

от 100 шт. — 415.95 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 670 руб.

Номенклатурный номер: 8022755269

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	80 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 C
Maximum Power Dissipation	366 W
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	Single
Вес, г	7.983