SSM3J332R,LF

SSM3J332R,LF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
55150 шт., срок 7-9 недель
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 450 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8022947096
Бренд: Toshiba

Описание

P-канал 30V 6A (Ta) 1W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23F

Технические параметры

Base Product Number TD62083 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 10V
ECCN EAR99
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SOT-23-3 Flat Leads
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V
RoHS Status RoHS Compliant
Series U-MOSVI ->
Supplier Device Package SOT-23F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 6A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 1W
Rds On - Drain-Source Resistance 42mО© @ 5A,10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 1.2V @ 1mA
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Flat
Material Si
Maximum Continuous Drain Current (A) 6
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 42 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±12
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23F
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 8.2 4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 860 15V
кол-во в упаковке 3000
Brand Toshiba
Factory Pack Quantity 3000
Id - Continuous Drain Current -6 A
Manufacturer Toshiba
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Pd - Power Dissipation 1 W
RoHS Details
Transistor Type 1 P-Channel
Unit Weight 0.050717 oz

Техническая документация

Datasheet SSM3J332R,LF
pdf, 345 КБ
Datasheet SSM3J332R,LF
pdf, 343 КБ
Datasheet SSM3J332R,LF
pdf, 412 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.