SSM3J332R,LF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
55150 шт., срок 7-9 недель
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 450 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
P-канал 30V 6A (Ta) 1W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23F
Технические параметры
Base Product Number | TD62083 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SOT-23-3 Flat Leads |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5A, 10V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Series | U-MOSVI -> |
Supplier Device Package | SOT-23F |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±12V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 6A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 42mО© @ 5A,10V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.2V @ 1mA |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Flat |
Material | Si |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 6 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 42 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23F |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.2 4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 860 15V |
кол-во в упаковке | 3000 |
Brand | Toshiba |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Id - Continuous Drain Current | -6 A |
Manufacturer | Toshiba |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation | 1 W |
RoHS | Details |
Transistor Type | 1 P-Channel |
Unit Weight | 0.050717 oz |
Техническая документация
Datasheet SSM3J332R,LF
pdf, 345 КБ
Datasheet SSM3J332R,LF
pdf, 343 КБ
Datasheet SSM3J332R,LF
pdf, 412 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары