2SA1162-Y,LF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
215 шт., срок 7-9 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 90 шт.
Добавить в корзину 90 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Brand | Toshiba |
Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.1 V |
Configuration | Single |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 70 |
DC Current Gain HFE Max | 400 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 80 MHz |
Manufacturer | Toshiba |
Maximum DC Collector Current | 150 mA |
Maximum Operating Temperature | +125 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SC-59-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | 2SA1162 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | PNP |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары