IRLR2705TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 55В 28A 68
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
91 руб.
от 500 шт. —
69 руб.
от 3000 шт. —
59.33 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 6 500 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 55В 28A 68
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 68 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | HEXFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 5 V |
Width | 6.22mm |
Вес, г | 0.41 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов