IRLR2905TRPBF, , Транзистор полевой N-канальный , 55В, 42A, корпус TO- 252-3

Фото 1/8 IRLR2905TRPBF, , Транзистор полевой N-канальный , 55В, 42A, корпус TO- 252-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
56 руб.
Кратность заказа 15 шт.
от 105 шт.52 руб.
от 210 шт.48 руб.
Добавить в корзину 15 шт. на сумму 840 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8023203917
Артикул: IRLR2905TRPBF

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.

Технические параметры

Корпус TO-252(DPAK)
Время задержки включения/выключения-84/15 нс
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Емкость, пФ 1700
Заряд затвора, нКл 48
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±16 В
Максимальное напряжение сток-исток, В 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 42
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40
Мощность рассеиваемая(Pd)-69 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В
Описание MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Id - непрерывный ток утечки: 36 A
Pd - рассеивание мощности: 69 W
Qg - заряд затвора: 32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 40 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток: -16 V, +16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.8 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 84 ns
Время спада: 15 ns
Другие названия товара №: IRLR2905TRPBF SP001558410
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: +175 C
Минимальная рабочая температура: -55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Производитель: Infineon
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: 2000
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Тип: HEXFET Power MOSFET
Типичное время задержки выключения: 26 ns
Типичное время задержки при включении: 11 ns
Торговая марка: Infineon/IR
Упаковка / блок: TO-252-3
Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*50/2000
Упаковка REEL, 2000 шт.
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 42 A
Maximum Drain Source Resistance 40 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 55 V
Maximum Gate Source Voltage -16 V, +16 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 110 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series HEXFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 48 nC @ 5 V
Width 6.22mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 312 КБ
Datasheet IRLR2905TRPBF
pdf, 321 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов