STU7NM60N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
275 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
38 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 950 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы полевые
транз: N-MOSFET 600V 5A <0.95Om
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
Pd - рассеивание мощности | 45 W |
Qg - заряд затвора | 14 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 12 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | STU7NM60N |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 26 ns |
Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-251-3 |
Base Product Number | STU7NM60 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 50V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
Package | Tube |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | MDmeshв„ў II -> |
Supplier Device Package | I-PAK |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 12 ns |
Id - Continuous Drain Current | 5 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 45 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 14 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 900 mOhms |
Rise Time | 10 ns |
RoHS | Details |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 26 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
Вес, г | 0.925 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 596 КБ
Datasheet STU7NM60N
pdf, 582 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары