2SA1313-Y(TE85L,F)

2SA1313-Y(TE85L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
173 шт., срок 7-9 недель
10 руб.
Мин. кол-во для заказа 37 шт.
Добавить в корзину 37 шт. на сумму 370 руб.
Номенклатурный номер: 8024076143
Бренд: Toshiba

Описание

Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R

Технические параметры

Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Material Si
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@10mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum DC Collector Current (A) 0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Minimum DC Current Gain 120@100mA@1V|40@400mA@6V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Bipolar Small Signal
Standard Package Name S-MINI
Supplier Package S-Mini
Type PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 188 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.