BFR93AE6327, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 90мА, 300мВт, SOT23

Фото 1/8 BFR93AE6327, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 90мА, 300мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт.83 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 600 руб.
Номенклатурный номер: 8024358831
Артикул: BFR93AE6327

Описание

Описание Транзистор NPN, биполярный, 20В, 90мА, 300мВт, SOT23

Технические параметры

Другие названия товара № BFR 93A E6327 SP000011066
Категория продукта РЧ биполярные транзисторы
Подкатегория Transistors
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BFR93
Технология Si
Тип продукта RF Bipolar Transistors
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок SOT-23-3
Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.9 mm
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 70 at 30 mA at 8 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.09 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 6000 MHz
Тип RF Bipolar Small Signal
Тип транзистора Bipolar
Ширина 1.3 mm
AEC Qualified Number AEC-Q101
Automotive Yes
Maximum 3rd Order Intercept Point - (dBm) 15(Typ)
Maximum Collector Base Voltage - (V) 20
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) 12
Maximum DC Collector Current - (A) 0.09
Maximum Emitter Base Voltage - (V) 2
Maximum Noise Figure - (dB) 2.6(Typ)
Maximum Power 1dB Compression - (dBm) 6(Typ)
Maximum Power Dissipation - (mW) 300
Maximum Transition Frequency - (MHz) 6000(Typ)
Military No
Minimum DC Current Gain 70@30mA@8V
Minimum DC Current Gain Range 50 to 120
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Operational Bias Conditions 8V/30mA
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Standard Package Name SOT-23
Supplier Package SOT-23
Typical Input Capacitance - (pF) 1.9
Typical Output Capacitance - (pF) 0.54
Typical Power Gain - (dB) 14.5
Maximum Collector Base Voltage 20 V
Maximum Collector Emitter Voltage 12 V
Maximum DC Collector Current 90 mA
Maximum Emitter Base Voltage 2 V
Maximum Operating Frequency 6 GHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 606 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов