IRF7303TRPBF, 2N канал транзистор 30В 5.3А SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 15 шт. —
76 руб.
от 60 шт. —
73 руб.
от 105 шт. —
72.99 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор полевой IRF7303TRPBF от ведущего производителя INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для использования в современных электронных устройствах. Данный транзистор рассчитан на ток стока до 4,9 А и напряжение сток-исток до 30 В, что обеспечивает его универсальность в различных схемах. Мощность устройства составляет 2 Вт, что позволяет ему работать в условиях средней нагрузки. Монтаж типа SMD и корпус SO8 гарантируют легкость интеграции в поверхностно-монтируемые платы и экономию пространства. Транзистор IRF7303TRPBF является отличным выбором для разработчиков, стремящихся к оптимизации своих электронных проектов. Код продукта для удобства поиска и заказа: IRF7303TRPBF. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 4.9 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 2 |
| Корпус | SO8 |
Технические параметры
| Структура | 2N-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 5.2 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 50 | |
| Температура, С | -55…+150 | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.9A | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2W | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50mО© @ 2.4A,10V | |
| Transistor Polarity | 2 N Channel(Double) | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.9 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 2 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Package Type | SOIC | |
| Pin Count | 8 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Width | 4mm | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Емкость, пФ | 520 | |
| Заряд затвора, нКл | 25 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4.9 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 50 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2 Вт | |
| Описание | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | 2N | |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
