IRF8910TRPBF, , Транзистор , N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
86 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 40 шт. —
82 руб.
от 80 шт. —
78 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 1 720 руб.
Номенклатурный номер: 8024844471
Артикул: IRF8910TRPBF, , Транзистор , N-MOSFET x2, полевой,
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Технические параметры
Корпус | SOIC-8 | |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 960 | |
Заряд затвора, нКл | 11 | |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 10 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 13.4 | |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-2 Вт | |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2.55В | |
Описание | Mosfet Array 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | 2N | |
Упаковка | REEL, 4000 шт. | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*44/2000 | |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов