IRF8910TRPBF, , Транзистор , N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8

IRF8910TRPBF, , Транзистор , N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
86 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 40 шт.82 руб.
от 80 шт.78 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 1 720 руб.
Номенклатурный номер: 8024844471
Артикул: IRF8910TRPBF, , Транзистор , N-MOSFET x2, полевой,

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

Технические параметры

Корпус SOIC-8
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Емкость, пФ 960
Заряд затвора, нКл 11
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 13.4
Мощность рассеиваемая(Pd)-2 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-2.55В
Описание Mosfet Array 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости 2N
Упаковка REEL, 4000 шт.
Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*44/2000
Вес, г 1

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов