IRF9Z34NPBF, , Транзистор полевой P-канальный , 55В, 19А, 68Вт, корпус TO-220-3

Фото 1/6 IRF9Z34NPBF, , Транзистор полевой P-канальный , 55В, 19А, 68Вт, корпус TO-220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
32 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт.30 руб.
от 200 шт.28 руб.
50 шт. на сумму 1 600 руб.
Плати частями
от 400 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8024844505
Артикул: IRF9Z34NPBF

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
МОП-транзистор MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC

Технические параметры

Корпус to-220
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Емкость, пФ 620
Заряд затвора, нКл 35
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В -55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -19
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100
Мощность рассеиваемая(Pd)-68 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-4В
Описание P-Channel 55 V 19A(Tc)68W(Tc)Through Hole TO-220AB
Способ монтажа Through Hole
Тип MOSFET
Тип проводимости P
Упаковка TUBE, 50 шт.
Id - непрерывный ток утечки 17 A
Pd - рассеивание мощности 56 W
Qg - заряд затвора 23.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Крутизна характеристики S,А/В 4.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100
Температура, С -55…+175
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Configuration Single
Maximum Continuous Drain Current - (A) 19
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 100@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 55
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 4
Maximum Power Dissipation - (mW) 68000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~175
Packaging Tube
Pin Count 3
Standard Package Name TO-220
Supplier Package TO-220AB
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 35(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 35(Max)@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 620@25V
Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/4000
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet IRF9Z34NPBF
pdf, 249 КБ
Datasheet IRF9Z34NPBF
pdf, 238 КБ
IRF9Z34 datasheet
pdf, 174 КБ
Datasheet IRF9Z34NPBF
pdf, 240 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов