FGH75T65SHD-F155, 455W 150A 650V Trench FIeld Stop TO-247-3 IGBTs

FGH75T65SHD-F155, 455W 150A 650V Trench FIeld Stop TO-247-3 IGBTs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 380 руб.
от 10 шт.1 070 руб.
от 30 шт.907 руб.
от 90 шт.724.73 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 380 руб.
Номенклатурный номер: 8025166852
Артикул: FGH75T65SHD-F155

Описание

FGH75T65SHD Field Stop Trench IGBT
onsemi FGH75T65SHD Field Stop Trench IGBT offers optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. The FGH75T65SHD features high current capability, high input impedance, and fast switching. The IGBT also offers positive temperature co-efficient for easy parallel operating.

Технические параметры

Brand: onsemi/Fairchild
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 150 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Manufacturer: onsemi
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Part # Aliases: FGH75T65SHD_F155
Pd - Power Dissipation: 455 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: FGH75T65SHD
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 6.39

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1253 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов