STGF15H60DF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
192 шт. со склада г.Москва, срок 11 дней
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 12 шт. —
130 руб.
от 24 шт. —
125 руб.
от 50 шт. —
121 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220FP | |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В | |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В | |
| Continuous Collector Current | 30А | |
| Power Dissipation | 30Вт | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Линейка Продукции | H | |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
| Монтаж транзистора | Through Hole | |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V | |
| Configuration: | Single | |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A | |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 15 A | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Package / Case: | TO-220-3 FP | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W | |
| Product Category: | IGBT Transistors | |
| Product Type: | IGBT Transistors | |
| Series: | STGF15H60DF | |
| Subcategory: | IGBTs | |
| Technology: | Si | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current at 25 C | 30 A | |
| Continuous Collector Current Ic Max | 15 A | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Gate-Emitter Leakage Current | 250 nA | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Package / Case | TO-220-3 FP | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 30 W | |
| Product Category | IGBT Transistors | |
| RoHS | Details | |
| Series | 600-650V IGBTs | |
| Technology | Si | |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
