900V 9A 1@10V,4A 150W N Channel SC65 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10000 шт., срок 5-6 недель
150 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 150 000 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзистор полевой N-канальный 900В 9А 150Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 1 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 9 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1300@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 900 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 150000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | pi-MOS IV |
| Standard Package Name | TO-3PN |
| Supplier Package | TO-3PN |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 60 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 60@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2200@25V |
| Вес, г | 6.212 |
Техническая документация
Datasheet - 2SK3878
pdf, 210 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
