PDTC114ET, Транзистор PDTC114ET

Фото 1/8 PDTC114ET, Транзистор PDTC114ET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 6 000 руб.
Альтернативные предложения4
Посмотреть аналоги5
Номенклатурный номер: 8026480022
Артикул: PDTC114ET
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы / Транзисторы смд

SOT-23

Продается упаковками. Цена за упаковку в 3000 шт. Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R - Tape and Reel (Alt: PDTC114ET,215)

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 250mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
кол-во в упаковке 3000
Collector Current (DC) 0.1(A)
Configuration Single
DC Current Gain 30
Emitter-Collector Voltage (Max) 50(V)
Package Type SOT-23
Packaging Tape and Reel
Power Dissipation 0.25(W)
Type NPN
Typical Input Resistor 10
Typical Resistor Ratio 1
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum Emitter Base Voltage 10 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Lead Finish Tin
Max Processing Temp 260
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.15@0.5mA@10mA V
Minimum DC Current Gain 30@5mA@5V V
Mounting Surface Mount
Operating Temperature -65 to 150 °C
Peak DC Collector Current 100 mA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 711 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PDTC114ET,215
pdf, 848 КБ
Datasheet PDTC114EU,115
pdf, 1327 КБ
PDTC114ET Datasheet
pdf, 56 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов