Bipolar junction transistor, PNP, 4 A, 80 V, THT, TO-126, BD680

Bipolar junction transistor, PNP, 4 A, 80 V, THT, TO-126, BD680
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
62 шт., срок 7 недель
180 руб.
от 25 шт.140 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.
Номенклатурный номер: 8026522530
Артикул: BD680

Описание

Semiconductors\Power Semiconductors\Bipolar Transistors

PNP transistor, BD680, COMSET

The BD680 is a PNP transistor mounted in Jedec TO-126 plastic package. It is eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications.

Features

  • Compliance to RoHS

Технические параметры

Assembly THT
Collector current 4 A
Enclosure TO-126
Frequency 10 MHz
max. operating temperature 150 °C
max.voltage between collector and base Vcbo 80 V
max.voltage between collector and emitter Vceo 80 V
Min DC gain 750 mA
min. operating temperature -55 °C
Power dissipation 40 W
Rated current 4 A
Saturation voltage 2.8 V
Version PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 69 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.