КТ984Б, транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные

КТ984Б
Транзисторы КТ984Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях мощности класса С в схеме с общей базой в диапазоне частот 720...820 МГц при напряжении питания 50 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Транзисторы содержат внутренние согласующие LC-звенья.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-42.
Импортный аналог: MSC1250M, D1-7E, D1-12E, D1-12B, MRF5174.

Основные технические характеристики транзистора КТ984Б:
∙ Структура транзистора: n-p-n;
∙ Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4,7 Вт;
∙ fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 720 МГц;
∙ Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В;
∙ Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
∙ Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 16 А;
∙ Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 80 мА (65В);
∙ Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;
∙ Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ;
∙ Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 250 Вт на частоте 820 МГц;
∙ tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс