SI2356DS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 4.3A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

39 руб.

Мин. кол-во для заказа 12 шт.

от 42 шт. — 32 руб.

от 83 шт. — 30 руб.

от 165 шт. — 29 руб.

Добавить в корзину 12 шт. на сумму 468 руб.

Номенклатурный номер: 8026950688

Артикул: SI2356DS-T1-GE3

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 4.3A

Корпус	SOT23-3
Brand:	Vishay Semiconductors
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	6 ns
Id - Continuous Drain Current:	4.3 A
Manufacturer:	Vishay
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	SOT-23-3
Part # Aliases:	SI2356DS-T1-BE3
Pd - Power Dissipation:	1.7 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	3.8 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	51 mOhms
Rise Time:	12 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	13 ns
Typical Turn-On Delay Time:	6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V
Вес, г	1