ZVN4424GTA, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 240В, 0,5А, Idm: 1,5А, 2,5Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
от 3 шт. —
90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 240В, 0,5А, Idm: 1,5А, 2,5Вт, SOT223 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 16 ns |
Forward Transconductance - Min: | 0.4 S |
Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-223-3 |
Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.5 Ohms |
Rise Time: | 5 ns |
Series: | ZVN4424 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | FET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 2.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 240 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -40 V, +40 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Вес, г | 0.544 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 739 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары