ZVN4424GTA, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 240В, 0,5А, Idm: 1,5А, 2,5Вт, SOT223

Фото 1/2 ZVN4424GTA, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 240В, 0,5А, Idm: 1,5А, 2,5Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
250 руб.
от 3 шт.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Номенклатурный номер: 8027846025
Артикул: ZVN4424GTA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 240В, 0,5А, Idm: 1,5А, 2,5Вт, SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 16 ns
Forward Transconductance - Min: 0.4 S
Id - Continuous Drain Current: 500 mA
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-223-3
Pd - Power Dissipation: 2.5 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 5.5 Ohms
Rise Time: 5 ns
Series: ZVN4424
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: FET
Typical Turn-Off Delay Time: 40 ns
Typical Turn-On Delay Time: 2.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 240 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -40 V, +40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV
Вес, г 0.544

Техническая документация

Datasheet
pdf, 739 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов