SKM200GB125D, Модуль
![Фото 1/5 SKM200GB125D, Модуль](https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC044454804.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/782/DOC035782599.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/862/DOC035862108.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/862/DOC035862112.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/862/DOC035862116.jpg)
2 шт. со склада г.Москва, срок 4 дня
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
41 510 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 41 510 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги4
Описание
Описание Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 160А, Ifsм 300А, SEмITrans3, В D56 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Dual Half Bridge |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Panel Mount |
Package Type | SEMITRANS3 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Series |
Application | frequency changer, Inverter |
Case | SEMITRANS3 |
Collector current | 160A |
Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Manufacturer | SEMIKRON DANFOSS |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Mechanical mounting | screw |
Pulsed collector current | 300A |
Semiconductor structure | transistor/transistor |
Topology | IGBT half-bridge |
Type of module | IGBT |
Version | D56 |
Вес, г | 322.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 164 КБ
Datasheet
pdf, 706 КБ
Datasheet SKM200GB125D
pdf, 706 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары