2Т958А, транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные

2Т958А
Транзисторы 2Т958А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-32.
Зарубежный аналог: BM40-12.

Основные технические характеристики транзистора 2Т958А:
∙ Структура транзистора: n-p-n;
∙ Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 85 Вт;
∙ fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
∙ Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,01кОм);
∙ Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
∙ Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
∙ Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 15 мА (36В);
∙ h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
∙ Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 180 пФ;
∙ Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ;
∙ Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 175 МГц;
∙ tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 12 пс