Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF7324TRPBF, SOP8

IRF7324TRPBF, SOP8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

от 25 шт. — 93 руб.

от 100 шт. — 91 руб.

от 175 шт. — 84.19 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8029736686

Артикул: IRF7324TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

транзисторы полевые импортные

Описание Транзистор полевой IRF7324TRPBF производства INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. С током стока до 9 А и напряжением сток-исток 20 В, этот транзистор способен обеспечивать мощность до 2 Вт, что делает его идеальным выбором для различных схем управления и коммутации. Компактный корпус SO8 позволяет интегрировать его в платы с ограниченным пространством, сохраняя при этом высокую эффективность и надежность. Используйте IRF7324TRPBF для повышения эффективности ваших электронных проектов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	9
Напряжение сток-исток, В	20
Мощность, Вт	2
Корпус	SO8

Технические параметры

Крутизна характеристики S,А/В	19
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	-1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	18
Температура, С	-55…+150
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	9 A
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Mounting Type	Through Hole
Package Type	SO-8
Вес брутто	0.34
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Заряд затвора, нКл	42
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±12 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	-20
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	-9
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	18
Мощность	рассеиваемая(Pd)-2 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-1В
Описание	20V, 9A 2P-Channel MOSFET
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	MOSFET
Тип проводимости	2P
Упаковка	REEL, 4000 шт.