Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор полевой ...

SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 20В 3.9A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

36 руб.

Мин. кол-во для заказа 13 шт.

от 140 шт. — 29 руб.

от 279 шт. — 26 руб.

от 557 шт. — 24 руб.

Добавить в корзину 13 шт. на сумму 468 руб.

Посмотреть аналоги16

Номенклатурный номер: 8030489015

Артикул: SI2312BDS-T1-GE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 20В 3.9A

Технические параметры

Корпус	SOT23-3
Id - непрерывный ток утечки	3.9 A
Pd - рассеивание мощности	0.75 W
Qg - заряд затвора	7.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	31 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	4.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	450 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	30 ns
Время спада	10 ns
Высота	1.45 mm
Длина	2.9 mm
Другие названия товара №	SI2312BDS-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	30 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	9 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.6 mm
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	3.9A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	750mW
Rds On - Drain-Source Resistance	31mО© @ 5A,4.5V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20V
Vgs - Gate-Source Voltage	850mV @ 250uA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	3.9
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)	5
Maximum Diode Forward Voltage (V)	1.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	31@4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V)	20
Maximum Gate Resistance (Ohm)	3.3
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±8
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	0.85
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)	166
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)	8
Maximum Power Dissipation (mW)	1250
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)	1.25
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)	15
Minimum Gate Resistance (Ohm)	1.1
Minimum Gate Threshold Voltage (V)	0.45
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 150
Packaging	Tape and Reel
Part Status	NRND
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	TrenchFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-23
Typical Diode Forward Voltage (V)	0.8
Typical Fall Time (ns)	10
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	7.5@4.5V
Typical Gate Plateau Voltage (V)	1.4
Typical Gate to Drain Charge (nC)	1.2
Typical Gate to Source Charge (nC)	1.4
Typical Output Capacitance (pF)	100
Typical Reverse Recovery Time (ns)	13
Typical Rise Time (ns)	30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	35
Typical Turn-On Delay Time (ns)	9
Вес, г	0.04