Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Diodes › ZVP3306FTA, Транзистор P-MOSFET, полевой ...

ZVP3306FTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1,6А, 330мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 руб.

Кратность заказа 3 шт.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 360 руб.

Номенклатурный номер: 8030666143

Артикул: ZVP3306FTA

Бренд: DIODES INC.

Описание

МОП-транзистор P-Chnl 60V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	90 mA
Pd - рассеивание мощности	330 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	14 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	8 ns
Время спада	8 ns
Высота	1.02 mm
Длина	3.04 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	60 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	ZVP3306
Технология	Si
Тип	FET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	8 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	90mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	P-Channel
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 18V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)	330mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14Ohm @ 200mA, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Manufacturer	VBsemi Elec
Packaging	Tape & Reel (TR)
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	90 mA
Maximum Drain Source Resistance	14 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	330 mW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	1.4mm
Вес, г	0.01