PD57018-E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
8 210 руб.
от 10 шт. —
6 740 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 210 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 400 |
| Forward Transconductance - Min: | 1 S |
| Gain: | 16.5 dB |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 1 GHz |
| Output Power: | 18 W |
| Package/Case: | PowerSO-10RF-Formed-4 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 31.7 W |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 760 mOhms |
| Series: | PD57018-E |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | LDMOS FET |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 65 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 925 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
